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TC8220K6-G
耐压:200V 电流:2.3A
- 描述
- 由六对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引脚DFN封装。所有MOSFET都集成了输出漏极高压二极管、栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲发生器应用。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有MOS结构的特性使这些器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TC8220K6-G
- 商品编号
- C625021
- 商品封装
- DFN-12-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V；7Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF；13pF |
商品概述
TC8220由六对高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成，采用12引脚DFN封装。所有MOSFET均集成了输出漏极高压二极管、栅源电阻以及栅源齐纳二极管钳位，这些特性适用于高压脉冲发生器应用。互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对采用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，这些器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 微芯科技的垂直DMOS FET非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入和输出电容以及快速开关速度。
商品特性
- 高压垂直DMOS技术
- 集成栅源电阻
- 集成栅源齐纳二极管
- 低阈值、低导通电阻
- 低输入和输出电容
- 快速开关速度
- 电气隔离的N沟道和P沟道MOSFET对
应用领域
- 高压脉冲发生器
- 放大器
- 缓冲器
- 压电换能器驱动器
- 通用线路驱动器
- 逻辑电平接口