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TC6320K6-G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:200V
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- 描述
- 由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC和DFN封装。两个MOSFET都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。这是一款互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TC6320K6-G
- 商品编号
- C624991
- 商品封装
- DFN-8-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A；2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V；8Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 110pF；200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF；23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF；55pF |
商品概述
TC6320由采用8引脚SOIC和DFN封装的高压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。两个MOSFET均集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，这在高压脉冲发生器应用中是非常理想的。它是一对互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET，采用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。 微芯科技的垂直DMOS FET非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
-集成栅源电阻-集成栅源齐纳二极管-低阈值-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-无二次击穿-低输入和输出泄漏电流-N沟道和P沟道电气独立隔离
应用领域
-高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器-逻辑电平接口