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AP30H180K
1个N沟道 耐压:30V 电流:180A
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- 描述
- 特性：30V，180A。 RDS(ON) < 2.4mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 5mΩ @ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP30H180K
- 商品编号
- C5443716
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.486克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP6242采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 30V、180A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 2.4 mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 5 mΩ
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理