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AP90P03K
1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 特性：-30V，-90A。 RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = -10V，典型值5.8mΩ。 RDS(ON) < 12mΩ @VGS = -4.5V，典型值9mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP90P03K
- 商品编号
- C5443720
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 493pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SVG105R4NT(S)(KL)是一款采用矽力杰LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。改进后的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。该器件广泛应用于UPS和逆变器系统的电源管理。
商品特性
- -30V,-90A
- RDS(ON) < 7.5 mΩ(在VGS = -10 V时),典型值:5.8 mΩ
- RDS(ON) < 12 mΩ(在VGS = -4.5 V时),典型值:9 mΩ
- 先进沟槽技术
- 符合无铅产品标准
- 低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理