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AP4813K
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP4813K
- 商品编号
- C5443722
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.488克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V；16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF；700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF；75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF；55pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 低导通电阻（RDS(on)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
商品特性
- N沟道:
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 18A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 24 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 36 mΩ
- P沟道:
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -13A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 60 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 85 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术,具备高静电放电能力
应用领域
- H桥电路
- 逆变器