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APG095N01
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 描述
- 特性：100V，70A。 RDS(ON) <9.5mΩ @VGS=10V (典型值:8.0mΩ)。 RDS(ON) <13mΩ @VGS=4.5V (典型值:11mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG095N01
- 商品编号
- C5443736
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.122nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 618pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理
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