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AP5N20K
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
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- 描述
- 特性：200V，5A，RDS(ON) < 500mΩ @VGS = 10V，典型值430mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP5N20K
- 商品编号
- C5443740
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.518克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30.2pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -36.1 A
- 栅源电压（VGS）为 -10V 时，导通电阻（RDS(on)） < 12mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V 时，导通电阻（RDS(on)） < 19mΩ