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AP5N10M
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- AP5N1oM采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP5N10M
- 商品编号
- C5443728
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 40V、160A
- RDS(ON) < 2.8 mΩ（VGS = 10 V 时，典型值为 2.4 mΩ）
- RDS(ON) < 4.0 mΩ（VGS = 4.5 V 时，典型值为 3.2 mΩ）
- 先进沟槽技术
- 符合无铅产品要求
- 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理