温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APG013N04G
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：40V, 160A。 RDS(ON) < 1.3mΩ @VGS = 10V (典型值: 1.1mΩ)。 RDS(ON) < 1.8mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 1.6mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- APG013N04G
- 商品编号
- C5443733
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.225克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1mΩ@10V；1.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.876nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.169nF |
商品特性
- -40V、-80A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 7 mΩ，典型值为5.8 mΩ
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 9 mΩ，典型值为7.5 mΩ
- 先进沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理