温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP12N10S
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：100V，12A，RDS(ON) < 10mΩ（VGS = 10V，典型值8mΩ），RDS(ON) < 13.5mΩ（VGS = 4.5V，典型值11mΩ）。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP12N10S
- 商品编号
- C5443729
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.122nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 618pF |
商品特性
- 100V、12A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 10mΩ(典型值:8mΩ)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 13.5mΩ(典型值:11mΩ)
- 分裂栅沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理