AP200N04D
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:40V,160A,RDS(ON) <2.8mΩ @VGS=10V,典型值2.4mΩ;RDS(ON) <4.0mΩ @VGS=4.5V,典型值3.2mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP200N04D
- 商品编号
- C5443727
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 129.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.26nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 727pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- -20V、-60A
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 7.0 mΩ,典型值:5.8 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) < 9.0 mΩ,典型值:7.0 mΩ
- 先进沟槽技术
- 获得无铅产品认证
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理
