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AP80P04K
1个P沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) < 7mΩ @ VGS = -10V，典型值5.8mΩ；RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = -4.5V，典型值7.5mΩ。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ALLPOWER(铨力)
- 商品型号
- AP80P04K
- 商品编号
- C5443721
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.504克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V；7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 530pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品特性
- -40V、-80A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 7 mΩ,典型值为5.8 mΩ
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 9 mΩ,典型值为7.5 mΩ
- 先进沟槽技术
- 产品无铅
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理