- 引脚图
- 焊盘图
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A2P75S12M3
A2P75S12M3
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- 描述
- ACEPACK 2 Sixpack拓扑，1200 V、75 A，沟槽栅场截止IGBT M系列，软二极管和NTC
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- A2P75S12M3
- 商品编号
- C5268136
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 454.5W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.95V；2.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V；7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.7nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 350pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 190pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 198ns；200ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 266ns；250ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.59mJ；6.28mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 5.13mJ；7.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 200ns；500ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该功率模块采用ACEPACK™2封装的六单元拓扑结构，集成NTC，应用了先进的沟槽栅场截止技术。该IGBT技术在导通损耗与开关损耗之间实现平衡，可提升频率最高达20kHz的转换器系统效率。
商品特性
- ACEPACK™2功率模块
- DBC Cu Al₂O₃ Cu
- 六单元拓扑
- 1200V、75A IGBT及二极管
- 软快恢复二极管
- 集成NTC
应用领域
- 逆变器
- 工业领域
- 电机驱动