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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.37Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
AP60WN2K3系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。 TO - 252封装在商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于电源转换器。
商品特性
- 100% 非钳位感性负载（UIS）测试
- 驱动要求简单
- 开关特性快速
- 符合RoHS标准且无卤