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AP65SA145DDT8
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP65SA145系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP65SA145DDT8
- 商品编号
- C5253012
- 商品封装
- PDFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@10V,9.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：
- 背光照明
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 低导通电阻RDS(ON)，确保导通状态损耗最小化
- 具备出色的栅极电荷Qgd与导通电阻RDS(ON)乘积（品质因数FOM）
- 采用适用于DC-DC转换器的先进技术
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，有助于缩小终端产品尺寸
- 生产过程中进行100%非钳位感性开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
- DMTH8008LFGQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品通过了AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器