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AP6P090M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
AP6P090系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。 SO-8封装在所有商业 - 工业表面贴装应用中广受青睐，适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 100%栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 驱动要求简单
- 开关特性快速
- 符合RoHS标准且无卤
- |漏源击穿电压(BVDSS)| -60V
- 漏源导通电阻(RDS(ON))90mΩ
- |漏极电流(ID^3)| -4A