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AP9567GH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SOP-8 封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片集成能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接工艺。在典型的 PCB 安装应用中，功率耗散可超过 0.8W。
商品特性
- 第五代技术
- 超低导通电阻 N 沟道 MOSFET
- 表面贴装
- 动态 dv/dt 额定值
- 快速开关
- 无铅