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AP9575AGH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
B20N15D 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，具有出色的导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和低栅极电阻。其高达 150V 的工作电压非常适合开关模式电源、开关电源（SMPS）、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路。
商品特性
- 当 VGS = 10V 时，RDS(ON) = 95 mΩ
- 超高单元密度设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流
应用领域
- 开关电源、开关电源(SMPS)-电信电源系统-DC/DC 转换器-LED 背光-负载开关