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2N7002DWK-7
1个N沟道
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- 2N7002DWK-7
- 商品编号
- C5248452
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 223pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 22pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能