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DMN1001UCA10-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:20A
- 描述
- 这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻（RSS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1001UCA10-7
- 商品编号
- C5248830
- 商品封装
- X2-TSN1820-10
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.75mΩ@3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.865nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装尺寸为 1.84mm x 1.96mm 的CSP封装
- 典型高度为0.30mm,实现低外形设计
- 栅极具备ESD保护功能
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护