温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC67D8UFDBQ-7
1个N沟道+1个P沟道 电流:2.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC67D8UFDBQ-7
- 商品编号
- C5248825
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 890mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 101pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：DC-DC转换器、电源管理功能、背光照明
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-薄型设计,最大高度0.6mm-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准-具备PPAP能力
应用领域
-负载开关