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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 静电放电（ESD）防护高达2KV（人体模型HBM）
- 沟槽低压MOSFET技术
- 低逻辑电平栅极驱动操作
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤素，“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（“P”后缀表示符合RoHS标准）