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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合用于高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- BSS138DWQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过IATF 16949认证的工厂制造。
应用领域
-负载开关