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DMN2024UFDF-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:7.1A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2024UFDF-7
- 商品编号
- C5248840
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 647pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电机控制 电源管理功能 DC-DC转换器
商品特性
- 100%非钳位电感开关，生产过程中进行测试——确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化
- 小尺寸、热效率高的封装，可实现更高密度的终端产品
- 仅占用SO-8封装33%的电路板面积，使终端产品更小
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力
应用领域
- 电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器