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DMN3731UFB4-7B
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.2A
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- 描述
- 这款 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3731UFB4-7B
- 商品编号
- C5248870
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 460mΩ@4.5V,200mA | |
| 耗散功率(Pd) | 520mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 7.2pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准
应用领域
-CPU电源供应-DC-DC转换器