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DMNH6042SPSQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:24A
- 描述
- 这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH6042SPSQ-13
- 商品编号
- C5248888
- 商品封装
- PowerDI-5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.259克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 584pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）文件。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),最大限度降低功率损耗
- 低栅极电荷Qg,最大限度降低开关损耗
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器