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DMP31D0UFB4-7B
1个P沟道 耐压:30V 电流:760mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP31D0UFB4-7B
- 商品编号
- C5248911
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.006667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 760mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 920mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 76pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护高达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能
- 背光照明
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