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DMTH10H1M7STLWQ-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH10H1M7STLWQ-13

1个N沟道 耐压:100V

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描述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下领域:电机控制、直流-直流转换器、电源管理。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH10H1M7STLWQ-13
商品编号
C5248935
商品封装
PowerDI-1012-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.207克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)250A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)250W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)147nC@10V
输入电容(Ciss)9.871nF
反向传输电容(Crss)58pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)3.019nF

商品特性

  • 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保最终应用更可靠、更耐用
  • 高转换效率
  • 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 无铅涂层,符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件

应用领域

-电机控制-直流-直流转换器-电源管理

数据手册PDF