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DMTH10H1M7STLWQ-13
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域：电机控制、直流-直流转换器、电源管理。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H1M7STLWQ-13
- 商品编号
- C5248935
- 商品封装
- PowerDI-1012-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.871nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.019nF |
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