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DMTH8012LK3Q-13
1个N沟道 耐压:80V 电流:50A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：发动机管理单元、电机控制、直流-直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH8012LK3Q-13
- 商品编号
- C5248955
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 177pF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。该器件符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电源管理功能 DC-DC转换器
- 背光照明
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试，确保最终应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，确保导通状态损耗最小化
- 厚度仅0.6mm，适用于薄型应用
- PCB占位面积为4mm²
- 侧壁镀覆，便于光学检测
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光照明