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DXTN10060DFJBWQ-7
NPN 4A 60V
- 描述
- 先进的工艺能力被用于最大化这款60V NPN晶体管的性能。W-DFN2020-3/SWP（A型）封装提供了更低的外形，最高至+175℃的降额特性允许在功率密度至关重要的应用中实现更高的散热。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXTN10060DFJBWQ-7
- 商品编号
- C5248986
- 商品封装
- DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 直流电流增益(hFE) | 550@10mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 125MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 320mV@4A,200mA | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 8V |