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DSS3540MQ-7B
PNP 电流:500mA 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO >-40V。 IC =-500mA 高集电极电流。 ICM =-1A 峰值脉冲电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 低集电极-发射极饱和电压，VCE(sat)。 0.60mm² 封装尺寸，比 SOT23 小 13 倍。 0.5mm 高度封装，减少板外轮廓。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合 AEC-Q101 标准，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF16949 认证的工厂生产
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DSS3540MQ-7B
- 商品编号
- C5248961
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 40@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV@500mA,50mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
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