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MMST5401Q-7-F
PNP 电流:200mA 电压:150V
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 超小表面贴装封装。 理想的低功率放大和开关应用。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备PPAP能力
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMST5401Q-7-F
- 商品编号
- C5249114
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 60@10mA,5V | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |