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MMBT3904FZ-7B
NPN 电流:200mA 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 高集电极电流。 PD = 925mW 功率耗散。 0.36mm² 封装尺寸，比 DFN1006 小 40%。 0.4mm 低封装高度，减少板外轮廓。 互补 PNP 型 MMBT3906FZ。 完全无铅，完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMBT3904FZ-7B
- 商品编号
- C5249034
- 商品封装
- DFN-3(0.6x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.080333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 40 V
- 集电极电流（IC）= 200 mA，高集电极电流
- 功率耗散（PD）= 925 mW
- 封装占位面积0.36 mm²，比DFN1006小40%
- 封装高度0.4mm，最大程度降低板外轮廓
- 互补PNP型MMBT3906FZ
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件