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DMTH43M8LK3Q-13
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电源管理功能、DC - DC转换器、背光照明。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH43M8LK3Q-13
- 商品编号
- C5248946
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.523333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.693nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),确保导通状态损耗最小化
- 具有出色的栅极漏极电荷Qgd与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 电源管理功能
- DC - DC转换器
- 背光照明