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DMTH10H017LPDQ-13
2个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它已通过AEC Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：同步整流DC - DC转换器、初级侧开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H017LPDQ-13
- 商品编号
- C5248934
- 商品封装
- PowerDI-5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2658克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.7mΩ@10V；23.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.6nC@10V；14.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.986nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 333pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电源管理、DC-DC转换器、电机控制。
商品特性
- 额定温度可达+175°C — 非常适合高温环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试 — 确保最终应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON) — 最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅表面处理;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-同步整流器-DC-DC转换器-初级侧开关