DMTH10H017LPDQ-13
2个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它已通过AEC Q101认证,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:同步整流DC - DC转换器、初级侧开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H017LPDQ-13
- 商品编号
- C5248934
- 商品封装
- PowerDI-5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2658克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.7mΩ@10V;23.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V;3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.6nC@10V;14.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.986nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 333pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
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