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DMT35M4LFDF4-7
1个N沟道 耐压:30V
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT35M4LFDF4-7
- 商品编号
- C5248930
- 商品封装
- X2-DFN2020-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.009nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适用于以下场景： 电机控制
- 背光照明 DC - DC转换器 电源管理功能
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低输入电容
- 低输入/输出漏电流
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
- 符合AEC - Q101高可靠性标准
- 具备生产件批准程序（PPAP）能力
应用领域
- 电机控制
- 背光照明
- DC - DC转换器
- 电源管理功能