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DMTH10H009LPSQ-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:91A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：电机控制
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H009LPSQ-13
- 商品编号
- C5248933
- 商品封装
- PowerDI-5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 91A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V；6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40.2nC@10V；20.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.309nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 536pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电池管理应用 电源管理功能 DC - DC转换器
商品特性
- 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非箝位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 散热高效的封装,使应用运行时温度更低
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON),可将导通状态损耗降至最低
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 封装高度小于1.1mm,适用于轻薄应用(PowerDI)
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- DMTH10H009LPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理