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DMP3056LSDQ-13
2个P沟道 耐压:30V 电流:6.9A
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- 描述
- 这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想之选。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP3056LSDQ-13
- 商品编号
- C5248909
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V；65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@4.5V；13.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 722pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 114pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双 P 沟道 MOSFET
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合 AEC-Q101 标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件,且在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。
应用领域
- 电源管理功能
- 背光照明
- DC-DC 转换器
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