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DMP2022LSSQ-13
1个P沟道 耐压:20V 电流:9.3A
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2022LSSQ-13
- 商品编号
- C5248891
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25584克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 770mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.575nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 261pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 326pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：负载开关
商品特性
~~- 双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-小型表面贴装封装-栅极具备静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 负载开关