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DMP2039UFDE4-7
1个P沟道 耐压:25V 电流:6.7A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2039UFDE4-7
- 商品编号
- C5248893
- 商品封装
- X2-DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 203pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 (RDS(ON)) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低RDS(ON)—— 确保将导通状态损耗降至最低
- 0.4mm 厚度 —— 非常适合薄型应用
- PCB 占位面积为 4mm^2
- 低输入电容
- 栅极具备 ESD 保护
- 无铅、无卤素、无锑,符合 RoHS 标准
- “绿色” 器件
- 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
应用领域
-负载开关-电池管理应用-电源管理功能