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DMN53D0LV-7
1个N沟道 耐压:50V 电流:350mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN53D0LV-7
- 商品编号
- C5248871
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 430mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.3pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于电机控制、背光照明、DC-DC转换器和电源管理功能。
商品特性
- 双N沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 极低的栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 静电放电(ESD)防护达2kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC - Q),具备高可靠性
应用领域
- 电机控制-背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能