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DMN62D0UWQ-7
耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下方面：电机控制、电源管理功能、背光照明
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D0UWQ-7
- 商品编号
- C5248878
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.9pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 生产过程中进行100%栅极电阻(Rg)测试
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能-背光照明