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DMN3032LFDBWQ-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.2A
- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）文件支持，非常适合用于以下场景：车身控制电子、电源管理功能、直流 - 直流转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3032LFDBWQ-7
- 商品编号
- C5248862
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:车身控制电子系统、电源管理功能、直流-直流转换器。
商品特性
- 100%非钳位电感开关——确保更可靠、更耐用的应用
- 低导通电阻——将功率损耗降至最低
- 低栅极电荷——将开关损耗降至最低
- 小尺寸薄型封装——提高功率密度
- 侧壁电镀,便于光学检测
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品通过了AEC-Q101认证,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 车身控制电子系统
- 电源管理功能
- 直流-直流转换器