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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 76.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 小型表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能-电池供电系统和固态继电器-驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器、晶体管等