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DMN2025UFDF-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2025UFDF-7
- 商品编号
- C5248844
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 4mm²的PCB占位面积
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 低外形，最大高度0.6mm
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合汽车应用标准的型号（DMN2053UFDBQ）有单独的数据手册
应用领域
- 负载开关-电源管理功能-便携式电源适配器