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DMN1008UFDF-7
1个N沟道 耐压:12V 电流:12.2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1008UFDF-7
- 商品编号
- C5248833
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 995pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 是先进 PowerTrench 工艺的坚固栅极版本。它针对具有宽范围栅极驱动电压（2.5V - 12V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 14.5 mΩ
- -9.7 A，-20 V。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 10.0 mΩ
- 适用于电池应用的扩展 VGSS 范围（± 12 V）
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
- 负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理