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DMC3061SVTQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.4A 2.7A
- 描述
- 这款新一代 MOSFET 经过精心设计，在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)）的同时，仍能保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3061SVTQ-7
- 商品编号
- C5248822
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04473克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A；3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V,2.7A；60mΩ@10V,3.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 880mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V；2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V；6.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 278pF@15V；287pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -13A
- 栅源电压（VGS） = -10V 时，导通电阻（RDS(ON)）为 100 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = -4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)）为 110 mΩ（典型值）
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换