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BSS314PEH6327XTSA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- 特性：P沟道增强模式。逻辑电平（额定4.5V）。ESD保护。根据AEC Q101认证。100%无铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS314PEH6327XTSA1
- 商品编号
- C5205498
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 294pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
65R580Q采用先进的超结技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这项先进技术经过优化，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 逻辑电平(额定4.5V)
- ESD保护
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准,无卤素
应用领域
- 开关应用-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)