- 引脚图
- 焊盘图
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SQD50P06-15L(TOKMAS)
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- P MOS-60V-80A 内阻：9.8mΩ
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- SQD50P06-15L(TOKMAS)
- 商品编号
- C54581990
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 锂电池保护
- 无线冲击
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