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STB15810(TOKMAS)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STB15810(TOKMAS)

N沟道增强型MOSFET,适用于电池保护、负载开关和不间断电源,采用SGT技术

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描述
100V120A 内阻:4.5mΩ
商品型号
STB15810(TOKMAS)
商品编号
C54581991
商品封装
TO-263C​
包装方式
编带
商品毛重
2.002167克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)210W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC
输入电容(Ciss)4.35nF
反向传输电容(Crss)220pF
类型N沟道
输出电容(Coss)2.15nF
栅极电压(Vgs)±20V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源
  • SGT技术

数据手册PDF