STB15810(TOKMAS)
N沟道增强型MOSFET,适用于电池保护、负载开关和不间断电源,采用SGT技术
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- 描述
- 100V120A 内阻:4.5mΩ
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- STB15810(TOKMAS)
- 商品编号
- C54581991
- 商品封装
- TO-263C
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.002167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.15nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SGT技术
- STP110N8F6(TOKMAS)
- HCPL-7840-500E(TOKMAS)
- STTH112A(TOKMAS)
- AMC1200SDUBR(TOKMAS)
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- DA-17-5
- ZD24C64A-STGMT
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- OPA2130UAM/TR-HG


