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STP110N8F6(TOKMAS)
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 100V120A 内阻：4.2mΩ
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- STP110N8F6(TOKMAS)
- 商品编号
- C54581992
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.343448克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
STP110N8F6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS（漏源电压）100V
- ID（在VGS = 10V时）120A
- RDS(ON)（在VGS = 10V时）< 5mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
- HCPL-7840-500E(TOKMAS)
- STTH112A(TOKMAS)
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- SGM61230XTN(TOKMAS)
- STMPS2151STR(TOKMAS)
- DA-17-5
- ZD24C64A-STGMT
- LMC6082AIM/TR-HG
- LMC6082IM/TR-HG
- OPA2202M/TR-HG
- LM1084IDT-5.0/TR-HG
- OPA2703UAM/TR-HG
- OP27CMM/TR-HG
- OPA2130UAM/TR-HG
- OPA2237UAM/TR-HG