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STP110N8F6(TOKMAS)
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 100V120A 内阻：4.2mΩ
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- STP110N8F6(TOKMAS)
- 商品编号
- C54581992
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
STP110N8F6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS（漏源电压）100V
- ID（在VGS = 10V时）120A
- RDS(ON)（在VGS = 10V时）< 5mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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- DA-17-5
- ZD24C64A-STGMT
- LMC6082AIM/TR-HG
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- OPA2202M/TR-HG
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